关于IGBT导通延迟时间的精确测量方法Measurement of Interval for IGBT′s Close Delay Time
肖广大,李海涛,马学林,严仲明,董亮,王豫
摘要(Abstract)：
IGBT以其输入阻抗高,开关速度快,通态压降低等特性已成为当今功率半导体器件的主流器件,但在它的使用过程中,精确测量导通延迟时间,目前还存在不少困难。在介绍时间测量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基础上,利用其优良的特性,设计一套高精度的IGBT导通延迟时间的测量系统,所测时间间隔通过液晶显示器直接读取,是一套较为理想的测量方案。
关键词(KeyWords)： IGBT;TDC-GP2;导通延迟时间;测量
基金项目(Foundation): 西南交通大学青年教师科研起步资助项目(2008Q006)
作者(Author): 肖广大,李海涛,马学林,严仲明,董亮,王豫
DOI: 10.16652/j.issn.1004-373x.2009.20.013
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