射频LDMOS电容特性研究Research into Capacitance Characteristics of RF-LDMOS
许晟瑞,冯辉,郝跃,李德昌
摘要(Abstract)：
射频LDMOS由于具有高击穿电压、高线形、高增益、价格低廉等优势而成为手机基站中的核心射频功率放大器件,LDMOS的栅漏电容Cgd是决定截至频率的主要因素,研究他对射频LDMOS的设计具有重要的意义。通过使用二维器件模拟软件ISE,模拟并研究了射频LDMOS栅漏电容Cgd与栅源电压Vgd和漏源电压Vgs的关系;分析得到LDMOS独特电容特性的原因;得出了栅氧化层厚度、漂移区浓度、沟道区浓度参数对Cgd的影响,并验证了喙栅结构具有比普通结构更优异的射频特性。
关键词(KeyWords)： LDMOS;电容;ISE;喙栅结构
基金项目(Foundation): 国防科技预先研究和电子发展基金支持研究
作者(Author): 许晟瑞,冯辉,郝跃,李德昌
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