基于沟槽型功率器件的三层掩膜板工艺设计Technological design of three-layer mask technology based on trench type MOSFET
王善屹,郭筝,楼颖颖,钱亮
摘要(Abstract)：
针对低压功率器件传统工艺流程进行创新和优化,以原有的6层掩膜板为基础,对掩膜板层数进行削减,用接触孔掩膜板完成原有的保护环掩膜板,工作区掩膜板及N+区掩膜板的作用。器件的电性参数目标,通过设计具体工艺参数,并对其进行仿真,以验证工艺可行性。所用的参数与设计方案适用于所有低压功率器件生产制造。
关键词(KeyWords)： 功率器件;沟槽型功率器件;掩膜板;工艺仿真
基金项目(Foundation):
作者(Author): 王善屹,郭筝,楼颖颖,钱亮
DOI: 10.16652/j.issn.1004-373x.2015.20.026
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