现代电子技术

2006, (24) 16-18

[打印本页] [关闭]
本期目录(Current Issue) | 过刊浏览(Archive) | 高级检索(Advanced Search)

10 Gb/s 0.18μm CMOS工艺复接器设计
10 Gb/s 0.18μm CMOS4∶1 Multiplexer

李竹,张伟,吴明赞,黄锦安

摘要(Abstract):

介绍一种超高速4∶1复接器集成电路。电路采用0.18μm CMOS工艺实现,供电电源1.8 V。电路采用源极耦合场效应管逻辑(SCFL),与静态CMOS逻辑相比具有更高的速度。为了避免高速时序电路中常见的时钟偏差,在时钟树中放置了缓冲器。在设计中采用有源电感的并联峰化技术有效地提高了电路的工作速度。仿真结果表明电路工作速度可达10 Gb/s,复接器芯片面积约为970×880μm2。

关键词(KeyWords): 复接器;D锁存器;CMOS工艺;时钟偏差

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 南京理工大学科研基金项目

作者(Author): 李竹,张伟,吴明赞,黄锦安

扩展功能
本文信息
服务与反馈
本文关键词相关文章
本文作者相关文章
中国知网
分享