10 Gb/s 0.18μm CMOS工艺复接器设计10 Gb/s 0.18μm CMOS4∶1 Multiplexer
李竹,张伟,吴明赞,黄锦安
摘要(Abstract):
介绍一种超高速4∶1复接器集成电路。电路采用0.18μm CMOS工艺实现,供电电源1.8 V。电路采用源极耦合场效应管逻辑(SCFL),与静态CMOS逻辑相比具有更高的速度。为了避免高速时序电路中常见的时钟偏差,在时钟树中放置了缓冲器。在设计中采用有源电感的并联峰化技术有效地提高了电路的工作速度。仿真结果表明电路工作速度可达10 Gb/s,复接器芯片面积约为970×880μm2。
关键词(KeyWords): 复接器;D锁存器;CMOS工艺;时钟偏差
基金项目(Foundation): 南京理工大学科研基金项目
作者(Author): 李竹,张伟,吴明赞,黄锦安
参考文献(References):
- [1]王志功.光纤通信集成电路设计[M].北京:高等教育出版社,2003.
- [2]Seshita T,Ikeda Y,W akimoto H.A 20 GHz 8 bit MultiplexerIC Implemented with 0.5 m W Nx/W Gate GaAsMESFETS[J].IEEE J.Solid State Circuits,1994,29(12):1 583 1 587.
- [3]谢嘉奎,宣月清,冯军.电子线路(线性部分)[M].北京:高等教育出版社,2001.
- [4]张立国,冯军,陈明洁.0.18μm CMOS 10 Gb/s 4∶1复接器集成电路设计[J].微电子技术,2003,31(6):22 25.
- [5]Sung Mo Kang,Yusuf Leblebici.CMOS Digital IntegratedCircuits Analysis and Design[M].Third Edition.北京:清华大学出版社,2004.
- [6][美]毕查德.拉扎维.模拟CMOS集成电路设计[M].陈贵灿,译.西安:西安交通大学出版社,2003.