裴军胜

• 1:西安卫光电工厂 陕西西安710065

摘要(Abstract)：

达林顿晶体管增益大、可靠性高,尤其在大功率应用中更加简便。介绍了20 A硅PNP达林顿晶体管的设计思路、芯片的内部结构、工艺流程和工艺参数,同时列出了制造的产品的电性能测试结果。

关键词(KeyWords)： 达林顿晶体管;PNP;大功率;工艺流程

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 裴军胜

参考文献(References)：

• [1]张屏英,周佑谟.晶体管原理[M].上海:上海科学技术出版社,1985.
• [2][美]图雷蒲O D.半导体器件工艺手册[M].王正华,叶小琳,夏如兴,译.北京:电子工业出版社,1987.
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• [4]Warner R M,Grug B L.半导体器件电子学[M].北京:电子工业出版社,2002.