基于CMOS工艺的一种低功耗高增益低噪声放大器A Low Power High Gain CMOS Low Noise Amplifier
李竹
摘要(Abstract)：
采用0.18μm CMOS工艺,两级共源结构实现了低功耗高增益的低噪声放大器设计。共源结构的级联采用电流共享技术,从而达到低功耗的目的。电路的输入端采用源极电感负反馈实现50Ω阻抗匹配,同时两级共源电路之间通过串联谐振相级联。该LNA工作在5.2 GHz,1.8 V电源电压,能提供20 dB的增益(S21为20 dB),而噪声系数为1.9 dB,输入匹配较好,S11为-32 dB。
关键词(KeyWords)： CMOS工艺;低噪声放大器;LC谐振;两级共源
基金项目(Foundation):
作者(Author): 李竹
参考文献(References)：
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