葛丽颖,黄世震,林伟

• 1:福州大学福建省微电子集成电路重点实验室
• 2:福州大学福建省微电子集成电路重点实验室
• 3:福州大学福建省微电子集成电路重点实验室 福建福州350002
• 4:福建福州350002

摘要(Abstract)：

提出一种基于CMOS技术的静态双沿顺序脉冲发生器结构。他是由以基于CMOS二选一选择器的电平型触发器构成的记忆单元和一个与门阵列组成的转译单元构成的。与门阵列的转译单元使顺序脉冲发生器在时钟上升沿和下降沿处均能输出移位脉冲,从而形成双沿触发的功能。仿真验证其功能正确,且根据分析该结构不仅能够节省芯片面积,还可以大大减小芯片的功耗。

关键词(KeyWords)： CMOS;双沿顺序脉冲发生器;功耗;与门阵列

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 葛丽颖,黄世震,林伟

参考文献(References)：

• [1]Tellez G E,Farrah A,Sarrafzadeh M.Activity Driven ClockDesign for Low Power Circuits[J].Proc IEEE ICCAD,1995,11:62 65.
• [2]郭中和,杨银堂,姬慧莲.一种CMOS双沿触发器的设计[J].半导体技术,2003,28(4):66 67,75.
• [3]莫凡,俞军,章倩苓.一种CMOS静态双沿触发器的设计[J].半导体技术,1999,24(4).